Vishay Siliconix SQS415ENW-T1_GE3 MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SQS415ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W

Hissə nömrəsi

SQS415ENW-T1_GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® 1212-8W

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® 1212-8W

Gücün Dağılması (Maks.)

62.5W (Tc)

FET növü

P-Channel

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

40V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

16A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

16.1 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

82nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

4825pF @ 25V

Vgs (Maks.)

±20V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 47337 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SQS401EN-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 16A