Triode/MOS tube/transistor/module
WILLSEMI (Will)
İstehsalçılar
ROHM (Rohm)
İstehsalçılar
ST (STMicroelectronics)
İstehsalçılar
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
NPN, Vceo=100V, Ic=6A
Təsvir
TECH PUBLIC (Taizhou)
İstehsalçılar
AGM-Semi (core control source)
İstehsalçılar
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 58A Power (Pd): 50W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.2mΩ@10V,15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.976nF@30V, Vds=60V Id=58A Rds=6.2mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
Təsvir
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
MSKSEMI (Mesenco)
İstehsalçılar
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 100A On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.5mΩ@10V, 9mΩ@4.5V Threshold Voltage (Vgs( th)@Id): 1.0V-2.5@250μA
Təsvir
Sinopower (large and medium)
İstehsalçılar
inventchip (Zhenxin Electronics)
İstehsalçılar
650V, 60mΩ SiC MOSFET
Təsvir
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
Slkor (Sakor Micro)
İstehsalçılar
Type PNP IC(A) -0.1 VCBO(V) -80 VCEO(V) -65 VEBO(V) -5 VCE(sat)(V) -0.5
Təsvir
UMW (Friends Taiwan Semiconductor)
İstehsalçılar
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
İstehsalçılar
HUASHUO (Huashuo)
İstehsalçılar