Triode/MOS tube/transistor/module
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
HUAKE (Huake)
İstehsalçılar
VISHAY (Vishay)
İstehsalçılar
TOSHIBA (Toshiba)
İstehsalçılar
SPS (American source core)
İstehsalçılar
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
İstehsalçılar
TF (Tuofeng)
İstehsalçılar
Long-Tek (Long Xia)
İstehsalçılar
SALLTECH (Sari)
İstehsalçılar
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
İstehsalçılar
Q1: N-channel, 30V, 16A, 10.2mΩ@10V Q2: N-channel, 30V, 18A, 7.7mΩ@10V
Təsvir
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
P-channel, 250V, 205mA
Təsvir
Sungine (dual competition integration)
İstehsalçılar
50V, 8-channel high withstand voltage and high current Darlington array
Təsvir
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
SPS (American source core)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
This NPN bipolar transistor is suitable for high gain, low noise general purpose amplifier applications. The device features a SOT-23 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Təsvir
ST (STMicroelectronics)
İstehsalçılar
N-channel, 650V, 12A, 330mΩ@10V
Təsvir
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
MOSFET Type N+N Drain-Source Voltage (Vdss) (V) 40 Threshold Voltage VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 On-Resistance RDS(ON) (mΩ) 30/36 Continuous Drain Current ID (A) 5
Təsvir