Triode/MOS tube/transistor/module
HUAYI (Hua Yi Wei)
İstehsalçılar
Potens (Bosheng Semiconductor)
İstehsalçılar
CET (Huarui)
İstehsalçılar
N-channel, 600V, 7.5A
Təsvir
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
ST (Xianke)
İstehsalçılar
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
ROHM (Rohm)
İstehsalçılar
Dual N-channel, 30V, 100mA
Təsvir
Jilin Huawei
İstehsalçılar
ST (STMicroelectronics)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
ROHM (Rohm)
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
N-channel, 60V, 2.3A
Təsvir
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
LRC (Leshan Radio)
İstehsalçılar
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
TI (Texas Instruments)
İstehsalçılar
CSD25213W10 P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD25213W10
Təsvir
FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
İstehsalçılar
Triode Transistor type: 2 PNP Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 45V Collector current (Ic): 200mA Power (Pd): 300mW Collector cut-off current (Icbo): 15nA Collector-emitter saturation voltage (VCE (sat)@Ic,Ib): 650mV@100mA, 5mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 300@2mA, 5V Characteristic frequency (fT): 200MHZ Operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj )
Təsvir