Triode/MOS tube/transistor/module
AGM-Semi (core control source)
İstehsalçılar
APM (Jonway Microelectronics)
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
ROHM (Rohm)
İstehsalçılar
TOSHIBA (Toshiba)
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
Xin Feihong
İstehsalçılar
Slkor (Sakor Micro)
İstehsalçılar
Type NPN IC(A) 1 VCBO(V) 120 VCEO(V) 100 VEBO(V) 5 VCE(sat)(V) 0.6
Təsvir
VISHAY (Vishay)
İstehsalçılar
SHIKUES (Shike)
İstehsalçılar
TF (Tuofeng)
İstehsalçılar
APM (Jonway Microelectronics)
İstehsalçılar
SINO-IC (Coslight Core)
İstehsalçılar
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
XINLUDA (Xinluda)
İstehsalçılar
Interfaces - Drivers, Receivers, Transceivers 7/0
Təsvir
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
İstehsalçılar
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 5A Power (Pd): 3.1W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 63mΩ @10V
Təsvir
WINSOK (Weishuo)
İstehsalçılar
Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 20 ID(A)Max. 100 VGS(th)(v) 1.6 RDS(ON)(m?)@4.364V 6.7 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 3 Qgd(nC) 15 Ciss(pF) 2100 Coss(pF) 326 Crss(pF) 282
Təsvir