Triode/MOS tube/transistor/module
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
İstehsalçılar
NPN, Vceo=30V, Ic=5A, hfe=340~600
Təsvir
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
P-Channel, PowerTrench MOSFET, -40 V, -110 A, 2.6 mΩ
Təsvir
SINO-IC (Coslight Core)
İstehsalçılar
ST (STMicroelectronics)
İstehsalçılar
UMW (Friends Taiwan Semiconductor)
İstehsalçılar
Samwin (Semipower)
İstehsalçılar
TI (Texas Instruments)
İstehsalçılar
30V, N-Channel NexFET MOSFET™, Single SON5x6, 5.9mΩ 8-VSONP -55 to 150
Təsvir
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
The MJ21193 and MJ21194 use perforated emitter technology and are designed for high power audio output, head positioner and linear applications.
Təsvir
minos (Minos)
İstehsalçılar
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
minos (Minos)
İstehsalçılar
CET (Huarui)
İstehsalçılar
N-channel, 30V, 5A, 32mΩ@10V
Təsvir
Leiditech (Lei Mao Electronics)
İstehsalçılar
CRMICRO (China Resources Micro)
İstehsalçılar
HUAYI (Hua Yi Wei)
İstehsalçılar
TWGMC (Taiwan Dijia)
İstehsalçılar
?Transistor type: NPN collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 25V collector current (Ic): 1.5A power (Pd): 200mW collector cut-off current (Icbo): 100nA
Təsvir
VISHAY (Vishay)
İstehsalçılar