Triode/MOS tube/transistor/module
GOFORD (valley peak)
İstehsalçılar
LONTEN (Longteng Semiconductor)
İstehsalçılar
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
İstehsalçılar
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 30V Continuous drain current (Id): 5.8A Power (Pd): 1.4W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@10V, 5.8A
Təsvir
YFW (You Feng Wei)
İstehsalçılar
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
İstehsalçılar
HX (Hengjiaxing)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
SINO-IC (Coslight Core)
İstehsalçılar
NPN VCEO=45V Ic=0.1A
Təsvir
ST (STMicroelectronics)
İstehsalçılar
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
İstehsalçılar
Sinopower (large and medium)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
Littelfuse (American Littelfuse)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
N-Channel, PowerTrench MOSFET, 150V, 21A, 66mΩ
Təsvir
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
ST (STMicroelectronics)
İstehsalçılar
WINSOK (Weishuo)
İstehsalçılar
Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 20 ID(A)Max. 350 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.200V 0.72 Qg(nC)@4.5V 89 QgS(nC) 37 Qgd(nC) 20 Ciss(pF) 7845 Coss(pF) 4525 Crss(pF) 139
Təsvir