onsemi (Ansemi)
Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
AFGB30T65SQDN
220W 650V 60A IGBT 650V FS4 high speed version for OBC application encapsulation
Hissə nömrəsi
AFGB30T65SQDN
Kateqoriya
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
İstehsalçı/Brend
onsemi (Ansemi)
İnkapsulyasiya
TO-263-3
Qablaşdırma
taping
Paketlərin sayı
800
Təsvir
Utilizes new field stop 4th generation IGBT technology and is AEC-Q101 qualified. The AFGB30T65SQDN offers optimum performance with low conduction and switching losses for efficient operation in various applications.
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 79842 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
220W 650V 60A IGBT 650V FS4 high speed version for OBC application encapsulation
onsemi (Ansemi)
220W 650V 60A IGBT 650V FS4 high speed version for OBC application encapsulation
onsemi (Ansemi)
238W 650V 80A IGBT, 650V FS4 High speed version, for OBC application in D2pak
onsemi (Ansemi)
238W 650V 80A IGBT, 650V FS4 High speed version, for OBC application in D2pak
onsemi (Ansemi)
Açar sözlərAFGB30T65SQDN
AFGB30T65SQDN Elektron komponentlər
AFGB30T65SQDN Satış
AFGB30T65SQDN Təchizatçı
AFGB30T65SQDN Distribyutor
AFGB30T65SQDN Məlumat cədvəli
AFGB30T65SQDN Şəkillər
AFGB30T65SQDN Qiymət
AFGB30T65SQDN Təklif
AFGB30T65SQDN Ən aşağı qiymət
AFGB30T65SQDN Axtar
AFGB30T65SQDN Satınalma
AFGB30T65SQDN Çip