AGM-Semi (core control source) AGM206MAP N+N channel 20V 25A 4.5mΩ

AGM-Semi (core control source)

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

AGM206MAP

N+N channel 20V 25A 4.5mΩ

Hissə nömrəsi

AGM206MAP

Kateqoriya

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

İstehsalçı/Brend

AGM-Semi (core control source)

İnkapsulyasiya

PDFN3x3

Qablaşdırma

taping

Paketlərin sayı

5000

Təsvir

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A Power (Pd): 3.0W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@4.5V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 0.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): [email protected] Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.31nF@10V ,Vds =20V Id=25A Rds=4.5mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 96912 PCS

Əlaqə məlumatı