AGM-Semi (core control source) AGM602C N-channel 60V 210A 2.3mΩ

AGM-Semi (core control source)

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

AGM602C

N-channel 60V 210A 2.3mΩ

Hissə nömrəsi

AGM602C

Kateqoriya

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

İstehsalçı/Brend

AGM-Semi (core control source)

İnkapsulyasiya

TO-220

Qablaşdırma

Tube

Paketlərin sayı

Təsvir

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 210A Power (Pd): 186W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.3mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 93nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 5.8nF@30V, Vds=60V Id=210A Rds=2.3mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 75985 PCS

Əlaqə məlumatı