MSKSEMI (Mesenco)
Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
BVSS138LT1G
BVSS138LT1G
Hissə nömrəsi
BVSS138LT1G
Kateqoriya
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
İstehsalçı/Brend
MSKSEMI (Mesenco)
İnkapsulyasiya
SOT-23
Qablaşdırma
taping
Paketlərin sayı
3000
Təsvir
MOS tube type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 55V Continuous drain current (Id): 0.3A Power (Pd): 0.35W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2mΩ@10V ,0.2A threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.8V-1.6V@250uA
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 88325 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
N-Channel 100V 170mA Single N-Channel Small Signal MOSFET 100V, 170mA, 6Ω
onsemi (Ansemi)
N-Channel 50V 200mA Single N-Channel Logic Level Small Signal MOSFET 50V, 200mA, 3.5Ω
onsemi (Ansemi)
P-Channel 50V 130mA Single P-Channel Logic Level Power MOSFET -50V -130mA 10Ω
onsemi (Ansemi)
Açar sözlərBVSS138LT1G
BVSS138LT1G Elektron komponentlər
BVSS138LT1G Satış
BVSS138LT1G Təchizatçı
BVSS138LT1G Distribyutor
BVSS138LT1G Məlumat cədvəli
BVSS138LT1G Şəkillər
BVSS138LT1G Qiymət
BVSS138LT1G Təklif
BVSS138LT1G Ən aşağı qiymət
BVSS138LT1G Axtar
BVSS138LT1G Satınalma
BVSS138LT1G Çip