onsemi (Ansemi) FDC6301N Dual N-Channel, Digital FET, 25V, 0.22A, 4Ω

onsemi (Ansemi)

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

FDC6301N

Dual N-Channel, Digital FET, 25V, 0.22A, 4Ω

Hissə nömrəsi

FDC6301N

Kateqoriya

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

İstehsalçı/Brend

onsemi (Ansemi)

İnkapsulyasiya

SOT-23-6

Qablaşdırma

taping

Paketlərin sayı

3000

Təsvir

These dual N-channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a high cell density DMOS proprietary technology. This very high-density process is ideal for minimizing on-resistance. This device is designed to replace digital transistors in low voltage applications. Because no biasing resistors are required, these N-channel FETs can replace several digital transistors with various biasing resistors.

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 84836 PCS

Əlaqə məlumatı