onsemi (Ansemi) FDC8602 Dual N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET, 100 V, 1.2 A, 350 mΩ

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

onsemi (Ansemi)

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

FDC8602

Dual N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET, 100 V, 1.2 A, 350 mΩ

Hissə nömrəsi

FDC8602

Kateqoriya

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

İstehsalçı/Brend

onsemi (Ansemi)

İnkapsulyasiya

TSOT-23-6

Qablaşdırma

taping

Paketlərin sayı

3000

Təsvir

This N-channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench process optimized for rDS(on), switching performance and robustness.

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 53042 PCS

Əlaqə məlumatı