onsemi (Ansemi)
Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
FDME820NZT
N-Channel 29V 9A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 20V, 9A, 18mΩ
Hissə nömrəsi
FDME820NZT
Kateqoriya
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
İstehsalçı/Brend
onsemi (Ansemi)
İnkapsulyasiya
MicroFET(1.6x1.6)
Qablaşdırma
taping
Paketlərin sayı
5000
Təsvir
This single N-channel MOSFET is designed using an advanced Power Trench process to optimize rDS(ON) @ VGS = 1.8 V based on a custom MicroFET lead frame.
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 61869 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
2x P-Channel 20V 2.6A Dual P-Channel, Power Trench MOSFET, -20V, -2.6A, 142mΩ
onsemi (Ansemi)
2x N-Channel 20V 3.8A Dual N-Channel, Power Trench MOSFET, 20V, 3.8A, 66mΩ
onsemi (Ansemi)
Açar sözlərFDME820NZT
FDME820NZT Elektron komponentlər
FDME820NZT Satış
FDME820NZT Təchizatçı
FDME820NZT Distribyutor
FDME820NZT Məlumat cədvəli
FDME820NZT Şəkillər
FDME820NZT Qiymət
FDME820NZT Təklif
FDME820NZT Ən aşağı qiymət
FDME820NZT Axtar
FDME820NZT Satınalma
FDME820NZT Çip