onsemi (Ansemi)
Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
MBRM110LT3G 10V 1A 415mV@2A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 10 V

MBRM110LT3G

10V 1A 415mV@2A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 10 V
Hissə nömrəsi
MBRM110LT3G
Kateqoriya
diode > Schottky diode
İstehsalçı/Brend
onsemi (Ansemi)
İnkapsulyasiya
POWERMITE
Qablaşdırma
taping
Paketlərin sayı
12000
Təsvir
POWERMITEPower encapsulation This Schottky diode Powermite uses the Schottky diode barrier principle, using barrier metal and epitaxial structure, which can produce optimized forward voltage drop-reverse current trade-off. This advanced encapsulation technology can be used to achieve energy-efficient miniature, space-saving devices. Due to its unique thermal design, Powermite has the same thermal performance as SMA, but with a 50% smaller footprint and a height profile of < 1.1 mm, one of the smallest in the industry. Due to its small size, it is suitable for portable and battery-operated products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size performance are critical.
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 56230 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərMBRM110LT3G
MBRM110LT3G Elektron komponentlər
MBRM110LT3G Satış
MBRM110LT3G Təchizatçı
MBRM110LT3G Distribyutor
MBRM110LT3G Məlumat cədvəli
MBRM110LT3G Şəkillər
MBRM110LT3G Qiymət
MBRM110LT3G Təklif
MBRM110LT3G Ən aşağı qiymət
MBRM110LT3G Axtar
MBRM110LT3G Satınalma
MBRM110LT3G Çip