HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics) SI2300-HXY N-channel 20V 6A

HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

SI2300-HXY

N-channel 20V 6A

Hissə nömrəsi

SI2300-HXY

Kateqoriya

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

İstehsalçı/Brend

HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)

İnkapsulyasiya

SOT-23

Qablaşdırma

taping

Paketlərin sayı

3000

Təsvir

Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 20V Continuous drain current (Id): 6A Power (Pd): 350mW On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 27mΩ@4.5V, 3A

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 58120 PCS

Əlaqə məlumatı