Comchip Technology B1S-G DIODE BRIDGE 100V 0.8A MBS

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

B1S-G

DIODE BRIDGE 100V 0.8A MBS

Hissə nömrəsi

B1S-G

İstehsalçı/Brend

Comchip Technology

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

Standard

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-269AA, 4-BESOP

Təchizatçı Cihaz Paketi

MBS

Diod növü

Single Phase

Gərginlik - Pik Əks (Maks)

100V

Cari - Orta Düzəliş (Io)

800mA

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.1V @ 800mA

Cari - Əks Sızma @ Vr

5µA @ 100V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 52287 PCS

Əlaqə məlumatı