Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
C2M0045170P

C2M0045170P

ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
Hissə nömrəsi
C2M0045170P
İstehsalçı/Brend
Serial
C2M™
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
-
Texnologiya
SiCFET (Silicon Carbide)
İşləmə temperaturu
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Through Hole
Paket / Çanta
TO-247-4
Təchizatçı Cihaz Paketi
TO-247-4L
Gücün Dağılması (Maks.)
520W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
1700V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
59 mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Maks) @ İd
4V @ 18mA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
188nC @ 20V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
3672pF @ 1000V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
20V
Vgs (Maks.)
+25V, -10V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 22699 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərC2M0045170P
C2M0045170P Elektron komponentlər
C2M0045170P Satış
C2M0045170P Təchizatçı
C2M0045170P Distribyutor
C2M0045170P Məlumat cədvəli
C2M0045170P Şəkillər
C2M0045170P Qiymət
C2M0045170P Təklif
C2M0045170P Ən aşağı qiymət
C2M0045170P Axtar
C2M0045170P Satınalma
C2M0045170P Çip