Diodes Incorporated DMG8601UFG-7 MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

DMG8601UFG-7

MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Hissə nömrəsi

DMG8601UFG-7

İstehsalçı/Brend

Diodes Incorporated

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerUDFN

Güc - Maks

920mW

Təchizatçı Cihaz Paketi

U-DFN3030-8

FET növü

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6.1A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.05V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

143pF @ 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 45001 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

DMG8601UFG-7

MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN