Diodes Incorporated DMJ70H1D3SI3 MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

DMJ70H1D3SI3

MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Hissə nömrəsi

DMJ70H1D3SI3

İstehsalçı/Brend

Diodes Incorporated

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-251

Gücün Dağılması (Maks.)

41W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

700V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4.6A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.3 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

13.9nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

351pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 45846 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

DMJ70H1D0SV3

MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251