Diodes Incorporated DMT8012LFG-7 MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

DMT8012LFG-7

MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Hissə nömrəsi

DMT8012LFG-7

İstehsalçı/Brend

Diodes Incorporated

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerWDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerDI3333-8

Gücün Dağılması (Maks.)

2.2W (Ta), 30W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

80V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

9.5A (Ta), 35A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

34nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1949pF @ 40V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 15746 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

DMT8012LFG-13

MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8