Diodes Incorporated HTMN5130SSD-13 MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

HTMN5130SSD-13

MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

Hissə nömrəsi

HTMN5130SSD-13

İstehsalçı/Brend

Diodes Incorporated

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Güc - Maks

1.7W

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

55V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.6A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

8.9nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

218.7pF @ 25V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 34154 PCS

Əlaqə məlumatı