EPC8009
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Hissə nömrəsi
EPC8009
İstehsalçı/Brend
Serial
eGaN®
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Digi-Reel®
Texnologiya
GaNFET (Gallium Nitride)
İşləmə temperaturu
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
Die
Təchizatçı Cihaz Paketi
Die
Gücün Dağılması (Maks.)
-
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
65V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Maks) @ İd
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
0.45nC @ 5V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
52pF @ 32.5V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
5V
Vgs (Maks.)
+6V, -4V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 42450 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərEPC8009
EPC8009 Elektron komponentlər
EPC8009 Satış
EPC8009 Təchizatçı
EPC8009 Distribyutor
EPC8009 Məlumat cədvəli
EPC8009 Şəkillər
EPC8009 Qiymət
EPC8009 Təklif
EPC8009 Ən aşağı qiymət
EPC8009 Axtar
EPC8009 Satınalma
EPC8009 Çip