EPC8010
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Hissə nömrəsi
EPC8010
İstehsalçı/Brend
Serial
eGaN®
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Cut Tape (CT)
Texnologiya
GaNFET (Gallium Nitride)
İşləmə temperaturu
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
Die
Təchizatçı Cihaz Paketi
Die
Gücün Dağılması (Maks.)
-
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
100V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Maks) @ İd
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
0.48nC @ 5V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
55pF @ 50V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
5V
Vgs (Maks.)
+6V, -4V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 50825 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərEPC8010
EPC8010 Elektron komponentlər
EPC8010 Satış
EPC8010 Təchizatçı
EPC8010 Distribyutor
EPC8010 Məlumat cədvəli
EPC8010 Şəkillər
EPC8010 Qiymət
EPC8010 Təklif
EPC8010 Ən aşağı qiymət
EPC8010 Axtar
EPC8010 Satınalma
EPC8010 Çip