GeneSiC Semiconductor 2N7636-GA TRANS SJT 650V 4A TO276

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

2N7636-GA

TRANS SJT 650V 4A TO276

Hissə nömrəsi

2N7636-GA

İstehsalçı/Brend

GeneSiC Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 225°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-276AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-276

Gücün Dağılması (Maks.)

125W (Tc)

FET növü

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

650V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4A (Tc) (165°C)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

415 mOhm @ 4A

Vgs(th) (Maks) @ İd

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

324pF @ 35V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

Vgs (Maks.)

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 28682 PCS

Əlaqə məlumatı