GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258 TRANS SJT 600V 100A

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

GA50JT06-258

TRANS SJT 600V 100A

Hissə nömrəsi

GA50JT06-258

İstehsalçı/Brend

GeneSiC Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Texnologiya

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 225°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-258-3, TO-258AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-258

Gücün Dağılması (Maks.)

769W (Tc)

FET növü

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 50A

Vgs(th) (Maks) @ İd

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

Vgs (Maks.)

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 45829 PCS

Əlaqə məlumatı