GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

MBR600200CTR

DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Hissə nömrəsi

MBR600200CTR

İstehsalçı/Brend

GeneSiC Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Montaj növü

Chassis Mount

Paket / Çanta

Twin Tower

Təchizatçı Cihaz Paketi

Twin Tower

Diod növü

Schottky

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

920mV @ 300A

Cari - Əks Sızma @ Vr

3mA @ 200V

Diod konfiqurasiyası

1 Pair Common Anode

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

200V

Cari - Orta Rektifikasiya (Io) (diod başına)

300A

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 150°C

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 6110 PCS

Əlaqə məlumatı