Infineon Technologies BSG0810NDIATMA1 MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

BSG0810NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Hissə nömrəsi

BSG0810NDIATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 155°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Güc - Maks

2.5W

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TISON-8

FET növü

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

25V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

19A, 39A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

3 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1040pF @ 12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 41861 PCS

Əlaqə məlumatı