Infineon Technologies BSO615CGHUMA1 MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

BSO615CGHUMA1

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Hissə nömrəsi

BSO615CGHUMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

SIPMOS®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Güc - Maks

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-DSO-8

FET növü

N and P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3.1A, 2A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

380pF @ 25V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 15072 PCS

Əlaqə məlumatı