Infineon Technologies BSS308PEH6327XTSA1 MOSFET P-CH 30V 2A SOT23

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

BSS308PEH6327XTSA1

MOSFET P-CH 30V 2A SOT23

Hissə nömrəsi

BSS308PEH6327XTSA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-SOT23-3

Gücün Dağılması (Maks.)

500mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

5nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

500pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 47552 PCS

Əlaqə məlumatı