Infineon Technologies BSS806NEH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

BSS806NEH6327XTSA1

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

Hissə nömrəsi

BSS806NEH6327XTSA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-SOT23-3

Gücün Dağılması (Maks.)

500mW (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.3A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

57 mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

0.75V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

1.7nC @ 2.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

529pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 2.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 12708 PCS

Əlaqə məlumatı