Infineon Technologies BSZ215CHXTMA1 MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

BSZ215CHXTMA1

MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

Hissə nömrəsi

BSZ215CHXTMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Güc - Maks

2.5W

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TSDSON-8-FL

FET növü

N and P-Channel Complementary

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

5.1A, 3.2A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.4V @ 110µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

419pF @ 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 36132 PCS

Əlaqə məlumatı