Infineon Technologies DD800S17H4B2BOSA2 IGBT MODULE VCES 1700V 800A

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

DD800S17H4B2BOSA2

IGBT MODULE VCES 1700V 800A

Hissə nömrəsi

DD800S17H4B2BOSA2

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Montaj növü

Chassis Mount

Paket / Çanta

Module

Təchizatçı Cihaz Paketi

Module

Diod növü

Standard

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

2.1V @ 800A

Cari - Əks Sızma @ Vr

900A @ 900V

Diod konfiqurasiyası

2 Independent

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

1700V

Cari - Orta Rektifikasiya (Io) (diod başına)

Sürət

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-40°C ~ 150°C

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 51766 PCS

Əlaqə məlumatı