Infineon Technologies IPA126N10N3GXKSA1 MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPA126N10N3GXKSA1

MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP

Hissə nömrəsi

IPA126N10N3GXKSA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Not For New Designs

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO220-FP

Gücün Dağılması (Maks.)

33W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

12.6 mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 45µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

35nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2500pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 7483 PCS

Əlaqə məlumatı