Infineon Technologies IPAN60R800CEXKSA1 MOSFET NCH 600V 8.4A TO220

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPAN60R800CEXKSA1

MOSFET NCH 600V 8.4A TO220

Hissə nömrəsi

IPAN60R800CEXKSA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO220 Full Pack

Gücün Dağılması (Maks.)

27W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Super Junction

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

8.4A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

800 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 170µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

17.2nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

373pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 31468 PCS

Əlaqə məlumatı