Infineon Technologies IPC60N04S4L06ATMA1 MOSFET N-CH 8TDSON

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPC60N04S4L06ATMA1

MOSFET N-CH 8TDSON

Hissə nömrəsi

IPC60N04S4L06ATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerVDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TDSON-8-23

Gücün Dağılması (Maks.)

63W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

40V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

5.6 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

43nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

3600pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±16V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43402 PCS

Əlaqə məlumatı