Infineon Technologies IPG16N10S4L61AATMA1 MOSFET 2N-CH 8TDSON

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPG16N10S4L61AATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Hissə nömrəsi

IPG16N10S4L61AATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerVDFN

Güc - Maks

29W

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TDSON-8-10

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

16A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

61 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.1V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

11nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

845pF @ 25V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 39865 PCS

Əlaqə məlumatı