Infineon Technologies IPL60R065P7AUMA1 MOSFET N-CH 4VSON

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IPL60R065P7AUMA1

MOSFET N-CH 4VSON

Hissə nömrəsi

IPL60R065P7AUMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™ P7

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

4-PowerTSFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-VSON-4

Gücün Dağılması (Maks.)

201W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

650V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

41A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 15.9A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 800µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

67nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2895pF @ 400V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 54494 PCS

Əlaqə məlumatı