Infineon Technologies IPL60R1K5C6SATMA1 MOSFET N-CH 8TSON

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPL60R1K5C6SATMA1

MOSFET N-CH 8TSON

Hissə nömrəsi

IPL60R1K5C6SATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™ C6

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

Thin-PAK (5x6)

Gücün Dağılması (Maks.)

26.6W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

9.4nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

200pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 50826 PCS

Əlaqə məlumatı