Infineon Technologies IPL60R299CPAUMA1 MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IPL60R299CPAUMA1

MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON

Hissə nömrəsi

IPL60R299CPAUMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™

Hissə Vəziyyəti

Not For New Designs

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

4-PowerTSFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-VSON-4

Gücün Dağılması (Maks.)

96W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

650V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

11.1A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

299 mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 440µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

22nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1100pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 29526 PCS

Əlaqə məlumatı