Infineon Technologies IPL60R650P6SATMA1 MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IPL60R650P6SATMA1

MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

Hissə nömrəsi

IPL60R650P6SATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™ P6

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-ThinPak (5x6)

Gücün Dağılması (Maks.)

56.8W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6.7A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

12nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

557pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 17565 PCS

Əlaqə məlumatı