Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IPN50R1K4CEATMA1

IPN50R1K4CEATMA1

CONSUMER
Hissə nömrəsi
IPN50R1K4CEATMA1
İstehsalçı/Brend
Serial
CoolMOS™ CE
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Cut Tape (CT)
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
SOT-223-3
Təchizatçı Cihaz Paketi
PG-SOT223
Gücün Dağılması (Maks.)
5W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
500V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
4.8A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(th) (Maks) @ İd
3.5V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
178pF @ 100V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
13V
Vgs (Maks.)
±20V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 25572 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərIPN50R1K4CEATMA1
IPN50R1K4CEATMA1 Elektron komponentlər
IPN50R1K4CEATMA1 Satış
IPN50R1K4CEATMA1 Təchizatçı
IPN50R1K4CEATMA1 Distribyutor
IPN50R1K4CEATMA1 Məlumat cədvəli
IPN50R1K4CEATMA1 Şəkillər
IPN50R1K4CEATMA1 Qiymət
IPN50R1K4CEATMA1 Təklif
IPN50R1K4CEATMA1 Ən aşağı qiymət
IPN50R1K4CEATMA1 Axtar
IPN50R1K4CEATMA1 Satınalma
IPN50R1K4CEATMA1 Çip