Infineon Technologies IPN60R2K1CEATMA1 MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPN60R2K1CEATMA1

MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223

Hissə nömrəsi

IPN60R2K1CEATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-223-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-SOT223

Gücün Dağılması (Maks.)

5W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Super Junction

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3.7A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

2.1 Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 60µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

140pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 33517 PCS

Əlaqə məlumatı