Infineon Technologies IPN70R1K0CEATMA1 MOSFET N-CH 750V 7.4A SOT223

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPN70R1K0CEATMA1

MOSFET N-CH 750V 7.4A SOT223

Hissə nömrəsi

IPN70R1K0CEATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-261-4, TO-261AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-SOT223

Gücün Dağılması (Maks.)

5W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

750V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

7.4A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

14.9nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

328pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 30038 PCS

Əlaqə məlumatı