Infineon Technologies IPN70R600P7SATMA1 MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IPN70R600P7SATMA1

MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223

Hissə nömrəsi

IPN70R600P7SATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™ P7

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-223-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-SOT223

Gücün Dağılması (Maks.)

6.9W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

700V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

8.5A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

364pF @ 400V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±16V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 40416 PCS

Əlaqə məlumatı