Infineon Technologies IPS80R1K2P7AKMA1 MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPS80R1K2P7AKMA1

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3

Hissə nömrəsi

IPS80R1K2P7AKMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™ P7

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO251-3

Gücün Dağılması (Maks.)

37W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

800V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4.5A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

11nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

300pF @ 500V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 31479 PCS

Əlaqə məlumatı