Infineon Technologies IPT60R028G7XTMA1 MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IPT60R028G7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8

Hissə nömrəsi

IPT60R028G7XTMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™ G7

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerSFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-HSOF-8

Gücün Dağılması (Maks.)

391W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

75A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 28.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 1.44mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

123nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

4820pF @ 400V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 40224 PCS

Əlaqə məlumatı