Infineon Technologies IRF60DM206 MOSFET N-CH 60V 130A

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IRF60DM206

MOSFET N-CH 60V 130A

Hissə nömrəsi

IRF60DM206

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

StrongIRFET™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

DirectFET™ Isometric ME

Təchizatçı Cihaz Paketi

DirectFET™ Isometric ME

Gücün Dağılması (Maks.)

96W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

130A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

2.9 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.7V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

200nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

6530pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 45295 PCS

Əlaqə məlumatı