Infineon Technologies IRF6662TRPBF MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IRF6662TRPBF

MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

Hissə nömrəsi

IRF6662TRPBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

DirectFET™ Isometric MZ

Təchizatçı Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MZ

Gücün Dağılması (Maks.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

8.3A (Ta), 47A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.9V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

31nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1360pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 25034 PCS

Əlaqə məlumatı