Infineon Technologies IRF6665TRPBF MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRF6665TRPBF

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

Hissə nömrəsi

IRF6665TRPBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

DirectFET™ Isometric SH

Təchizatçı Cihaz Paketi

DIRECTFET™ SH

Gücün Dağılması (Maks.)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4.2A (Ta), 19A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

62 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

13nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

530pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 40729 PCS

Əlaqə məlumatı